Infineon Technologies - BSC018NE2LSATMA1

KEY Part #: K6420154

BSC018NE2LSATMA1 Τιμολόγηση (USD) [164965τεμ]

  • 1 pcs$0.22421
  • 5,000 pcs$0.21525

Αριθμός εξαρτήματος:
BSC018NE2LSATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1. Το BSC018NE2LSATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSC018NE2LSATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC018NE2LSATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSC018NE2LSATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 12V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TDSON-8
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TK15S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK.

  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.

  • TK6P53D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.