Vishay Siliconix - SI3853DV-T1-GE3

KEY Part #: K6412824

[13312τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SI3853DV-T1-GE3
    Κατασκευαστής:
    Vishay Siliconix
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI3853DV-T1-GE3. Το SI3853DV-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI3853DV-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3853DV-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SI3853DV-T1-GE3
    Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
    Σειρά : LITTLE FOOT®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 500mV @ 250µA (Min)
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET χαρακτηριστικό : Schottky Diode (Isolated)
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 830mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 6-TSOP
    Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • 2N7008

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • NP20P04SLG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET P-CH 40V 20A TO-252.

    • NP52N055SUG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 52A TO-252.

    • IRFR120Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.