Infineon Technologies - SPD02N80C3BTMA1

KEY Part #: K6409298

[330τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPD02N80C3BTMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 800V 2A TO-252.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Δίοδοι - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPD02N80C3BTMA1. Το SPD02N80C3BTMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPD02N80C3BTMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPD02N80C3BTMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPD02N80C3BTMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 120µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 16nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 42W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • 2N7000G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BS170P

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FQN1N50CBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.

    • BS170RLRPG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • BS170RLRP

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • BS107ARL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.