Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-31DQ10GTR

KEY Part #: K6442979

[2949τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    VS-31DQ10GTR
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division VS-31DQ10GTR. Το VS-31DQ10GTR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VS-31DQ10GTR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-31DQ10GTR Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : VS-31DQ10GTR
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Schottky
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3.3A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 850mV @ 3A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 100V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 110pF @ 5V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : DO-201AD, Axial
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : C-16
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VS-8EWS08STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

    • VS-8EWS08STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

    • VS-8EWS08STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

    • VS-8EWF12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VS-8EWF06STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.

    • VS-8EWF06STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.