Αριθμός εξαρτήματος :
IPP12CN10N G
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
67A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 83µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
65nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4320pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO220-3