Infineon Technologies - IPP50R199CPHKSA1

KEY Part #: K6417927

IPP50R199CPHKSA1 Τιμολόγηση (USD) [46353τεμ]

  • 1 pcs$0.84353
  • 500 pcs$0.80613

Αριθμός εξαρτήματος:
IPP50R199CPHKSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 550V TO-220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPP50R199CPHKSA1. Το IPP50R199CPHKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPP50R199CPHKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP50R199CPHKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPP50R199CPHKSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 550V TO-220
Σειρά : CoolMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 550V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 139W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-3-1
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.