NXP USA Inc. - BUK98150-55A,135

KEY Part #: K6415264

[12470τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BUK98150-55A,135
    Κατασκευαστής:
    NXP USA Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα NXP USA Inc. BUK98150-55A,135. Το BUK98150-55A,135 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BUK98150-55A,135, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK98150-55A,135 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BUK98150-55A,135
    Κατασκευαστής : NXP USA Inc.
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
    Σειρά : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 55V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 137 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 5.3nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±15V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 320pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 8W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-223
    Πακέτο / Θήκη : TO-261-4, TO-261AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • SI3404-TP

      Micro Commercial Co

      MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN23UN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN34UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.

    • PMN25EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP.