Infineon Technologies - IPI05N03LA

KEY Part #: K6409861

[8532τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPI05N03LA
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPI05N03LA. Το IPI05N03LA μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPI05N03LA, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI05N03LA Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPI05N03LA
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 55A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 50µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 25nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3110pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 94W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • SN7002N E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.