Αριθμός εξαρτήματος :
FQB34N20LTM
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
72nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D²PAK (TO-263AB)
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB