Αριθμός εξαρτήματος :
DMN2250UFB-7B
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
1.35A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
3.1nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
94pF @ 16V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
X1-DFN1006-3