Infineon Technologies - IRF7464PBF

KEY Part #: K6411525

[13761τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRF7464PBF
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRF7464PBF. Το IRF7464PBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRF7464PBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7464PBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRF7464PBF
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 720mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRLR8503PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRLR8113PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRLR7833TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

    • IRLR8103VPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 91A DPAK.

    • IRLR7833PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

    • IRLR7821PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 65A DPAK.