STMicroelectronics - STD16N65M2

KEY Part #: K6418816

STD16N65M2 Τιμολόγηση (USD) [78720τεμ]

  • 1 pcs$0.49919
  • 2,500 pcs$0.49670

Αριθμός εξαρτήματος:
STD16N65M2
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα STMicroelectronics STD16N65M2. Το STD16N65M2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το STD16N65M2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD16N65M2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : STD16N65M2
Κατασκευαστής : STMicroelectronics
Περιγραφή : MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Σειρά : MDmesh™ M2
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 19.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 718pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DPAK
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.