Infineon Technologies - SPI10N10

KEY Part #: K6409478

[268τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPI10N10
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPI10N10. Το SPI10N10 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPI10N10, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPI10N10 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPI10N10
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
    Σειρά : SIPMOS®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10.3A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 21µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 19.4nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 426pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 50W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3-1
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FCD620N60ZF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

    • RFD3055LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • FCD850N80Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

    • FCD5N60TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

    • FDD6N50TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • FDD10AN06A0

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.