Comchip Technology - CDBJSC101700-G

KEY Part #: K6431474

CDBJSC101700-G Τιμολόγηση (USD) [2811τεμ]

  • 1 pcs$15.40472

Αριθμός εξαρτήματος:
CDBJSC101700-G
Κατασκευαστής:
Comchip Technology
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1700V
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Comchip Technology CDBJSC101700-G. Το CDBJSC101700-G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το CDBJSC101700-G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101700-G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : CDBJSC101700-G
Κατασκευαστής : Comchip Technology
Περιγραφή : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1700V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 35A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.7V @ 10A
Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 1700V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 1400pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : TO-220-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220-2
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 1SS307(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A

  • SB220-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM

  • SS10PH10HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V SM Schottky Rect

  • VS-6ESU06HM3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V AEC-Q101

  • V10PN50-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 5.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,50V,TRENCH SKY RECT.

  • V8P8HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 80V, SMPC AEC-Q101 Qualified