ON Semiconductor - NRVBM110LT1G

KEY Part #: K6429231

NRVBM110LT1G Τιμολόγηση (USD) [577363τεμ]

  • 1 pcs$0.06760
  • 3,000 pcs$0.06726

Αριθμός εξαρτήματος:
NRVBM110LT1G
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers REC 1A10V PWRMITE SCHTKY
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor NRVBM110LT1G. Το NRVBM110LT1G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NRVBM110LT1G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVBM110LT1G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : NRVBM110LT1G
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Σειρά : POWERMITE®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 10V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 415mV @ 2A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 500µA @ 10V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-216AA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Powermite
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 125°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DB3X501K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MINI3.

  • DB3X207K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 20V 1A MINI3.

  • DA3X108K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • MBR1090HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 90V 10A TO220AC.

  • MBR1045 C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 45V 10A TO220AC.

  • MBR1035HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.