Αριθμός εξαρτήματος :
IRF6655TRPBF
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 25µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
11.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
530pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DIRECTFET™ SH
Πακέτο / Θήκη :
DirectFET™ Isometric SH