Vishay Semiconductor Diodes Division - US1BHE3_A/I

KEY Part #: K6433806

US1BHE3_A/I Τιμολόγηση (USD) [833375τεμ]

  • 1 pcs$0.04683
  • 7,500 pcs$0.04660

Αριθμός εξαρτήματος:
US1BHE3_A/I
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division US1BHE3_A/I. Το US1BHE3_A/I μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το US1BHE3_A/I, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1BHE3_A/I Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : US1BHE3_A/I
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 1A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 50ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SS1FL4-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 40V DO-219AB Ifsm 40A

  • SS1FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • V3FM15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A150VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FH10HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified

  • V3FM12-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A120VSMFTRENCH SKY RECT..

  • B160-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt