ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6TLA1-TR

KEY Part #: K938176

Λεπτομερής περιγραφή:: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM Automotive 256M,2.5V DDR1,64Mx8,166MHz

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) μ, Λογική - Διακόπτες σημάτων, πολυπλέκτες, αποκωδικο, Λογική - Ρυθμιστές, Δίσκοι, Δέκτες, Πομποδέκτες, Ήχος Ειδικός Σκοπός, Λογική - Γεννήτριες ισοτιμίας και Ντάμα, PMIC - Ρυθμιστές τάσης - Ρυθμιστές εναλλαγής DC DC, PMIC - Ρυθμιστές τάσης - Γραμμική + εναλλαγή and Διασύνδεση - UARTs (Universal ασύγχρονος πομπός) ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1-TR. Το IS46R16160D-6TLA1-TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IS46R16160D-6TLA1-TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : IS46R16160D-6TLA1-TR

Κατασκευαστής : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Περιγραφή : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Τύπος μνήμης : Volatile

Μορφή μνήμης : DRAM

Τεχνολογία : SDRAM - DDR

Μέγεθος μνήμης : 256Mb (16M x 16)

Συχνότητα ρολογιού : 166MHz

Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page : 15ns

Χρόνος πρόσβασης : 700ps

Διασύνδεση μνήμης : Parallel

Τάση - Προμήθεια : 2.3V ~ 2.7V

Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 85°C (TA)

Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount

Πακέτο / Θήκη : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 66-TSOP II

Silicom MinnowBoard Turbot

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Hot Parts