Taiwan Semiconductor Corporation - RS3BHM6G

KEY Part #: K6439716

RS3BHM6G Τιμολόγηση (USD) [874440τεμ]

  • 1 pcs$0.04230

Αριθμός εξαρτήματος:
RS3BHM6G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation RS3BHM6G. Το RS3BHM6G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RS3BHM6G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3BHM6G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : RS3BHM6G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.3V @ 3A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 150ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • BYG10G-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10J-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD