Rohm Semiconductor - SP8K2FU6TB

KEY Part #: K6524145

SP8K2FU6TB Τιμολόγηση (USD) [3929τεμ]

  • 2,500 pcs$0.24363

Αριθμός εξαρτήματος:
SP8K2FU6TB
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor SP8K2FU6TB. Το SP8K2FU6TB μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SP8K2FU6TB, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8K2FU6TB Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SP8K2FU6TB
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 10.1nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 2W
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOP

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει