Αριθμός εξαρτήματος :
MBR40035CT
Κατασκευαστής :
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση διόδου :
1 Pair Common Cathode
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
35V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) :
400A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
700mV @ 200A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1mA @ 35V
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη :
Twin Tower
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Twin Tower