Infineon Technologies - SISC050N10DX1SA1

KEY Part #: K6421037

SISC050N10DX1SA1 Τιμολόγηση (USD) [332673τεμ]

  • 1 pcs$0.11118

Αριθμός εξαρτήματος:
SISC050N10DX1SA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHAN SAWED WAFER.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Θυρίστορες - DIAC, SIDAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SISC050N10DX1SA1. Το SISC050N10DX1SA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SISC050N10DX1SA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISC050N10DX1SA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SISC050N10DX1SA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CHAN SAWED WAFER
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : -
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -
Τύπος συναρμολόγησης : -
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -
Πακέτο / Θήκη : -

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει