Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4150W-HE3-08

KEY Part #: K6455891

1N4150W-HE3-08 Τιμολόγηση (USD) [2033073τεμ]

  • 1 pcs$0.01920
  • 3,000 pcs$0.01910
  • 6,000 pcs$0.01661
  • 15,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 75,000 pcs$0.01246
  • 150,000 pcs$0.01107

Αριθμός εξαρτήματος:
1N4150W-HE3-08
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-08. Το 1N4150W-HE3-08 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N4150W-HE3-08, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4150W-HE3-08 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N4150W-HE3-08
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 200mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 200mA
Ταχύτητα : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100nA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SOD-123
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOD-123
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt

  • SL02-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1 Amp 20 Volt