ON Semiconductor - 1N5820

KEY Part #: K6444042

1N5820 Τιμολόγηση (USD) [482990τεμ]

  • 1 pcs$0.07658

Αριθμός εξαρτήματος:
1N5820
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor 1N5820. Το 1N5820 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N5820, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5820 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N5820
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 20V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 475mV @ 3A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 500µA @ 20V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 190pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : DO-201AD, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-201AD
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 125°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.