Αριθμός εξαρτήματος :
FDB86102LZ
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
21nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1275pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-263AB
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB