Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3

KEY Part #: K6523030

SQJ560EP-T1_GE3 Τιμολόγηση (USD) [144991τεμ]

  • 1 pcs$0.25510

Αριθμός εξαρτήματος:
SQJ560EP-T1_GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3. Το SQJ560EP-T1_GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SQJ560EP-T1_GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ560EP-T1_GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SQJ560EP-T1_GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N and P-Channel
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 25V
Ισχύς - Μέγ : 34W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.