Diodes Incorporated - DMG4800LSD-13

KEY Part #: K6525200

DMG4800LSD-13 Τιμολόγηση (USD) [409104τεμ]

  • 1 pcs$0.09041
  • 2,500 pcs$0.08092

Αριθμός εξαρτήματος:
DMG4800LSD-13
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMG4800LSD-13. Το DMG4800LSD-13 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMG4800LSD-13, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4800LSD-13 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMG4800LSD-13
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 8.56nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 798pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 1.17W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOP

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.