IXYS - IXBN75N170

KEY Part #: K6532743

IXBN75N170 Τιμολόγηση (USD) [1347τεμ]

  • 1 pcs$33.81912
  • 10 pcs$33.65087

Αριθμός εξαρτήματος:
IXBN75N170
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXBN75N170. Το IXBN75N170 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXBN75N170, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXBN75N170 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXBN75N170
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
Σειρά : BIMOSFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1700V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 145A
Ισχύς - Μέγ : 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 75A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 25µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 6.93nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227B

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT