Infineon Technologies - IRFB4229PBF

KEY Part #: K6399365

IRFB4229PBF Τιμολόγηση (USD) [21647τεμ]

  • 1 pcs$1.71873
  • 10 pcs$1.53584
  • 100 pcs$1.25930
  • 500 pcs$0.96744
  • 1,000 pcs$0.81592

Αριθμός εξαρτήματος:
IRFB4229PBF
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRFB4229PBF. Το IRFB4229PBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRFB4229PBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4229PBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IRFB4229PBF
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Σειρά : HEXFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 250V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 330W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220AB
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.