Infineon Technologies - IPP77N06S3-09

KEY Part #: K6409800

[157τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPP77N06S3-09
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 55V 77A TO-220.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPP77N06S3-09. Το IPP77N06S3-09 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPP77N06S3-09, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP77N06S3-09 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPP77N06S3-09
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 55V 77A TO-220
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 55V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 77A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 39A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 55µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 103nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5335pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 107W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-3-1
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDD8778

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • SN7002N E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.

    • SPB80N03S2L-03

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.