Toshiba Semiconductor and Storage - 1SV311(TPH3,F)

KEY Part #: K6462635

1SV311(TPH3,F) Τιμολόγηση (USD) [1087457τεμ]

  • 1 pcs$0.03401

Αριθμός εξαρτήματος:
1SV311(TPH3,F)
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE VARACTOR 10V ESC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage 1SV311(TPH3,F). Το 1SV311(TPH3,F) μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1SV311(TPH3,F), παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SV311(TPH3,F) Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1SV311(TPH3,F)
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : DIODE VARACTOR 10V ESC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Χωρητικότητα @ Vr, F : 5.45pF @ 4V, 1MHz
Δείκτης χωρητικότητας : 2.1
Συντελεστής δυναμικής χωρητικότητας : C1/C4
Τάση - Αντίστροφη αιχμή (Max) : 10V
Τύπος διόδου : Single
Q @ Vr, F : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : 125°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SC-79, SOD-523
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ESC

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει