IXYS - IXFT26N60P

KEY Part #: K6395157

IXFT26N60P Τιμολόγηση (USD) [17149τεμ]

  • 1 pcs$2.77745
  • 30 pcs$2.76363

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT26N60P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFT26N60P. Το IXFT26N60P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFT26N60P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT26N60P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFT26N60P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
Σειρά : PolarHV™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4150pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 460W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-268
Πακέτο / Θήκη : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA