Αριθμός εξαρτήματος :
1N5550US
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.2V @ 9A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
2µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 200V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SQ-MELF, B
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-5B
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C