ON Semiconductor - FDMS4D4N08C

KEY Part #: K6393827

FDMS4D4N08C Τιμολόγηση (USD) [63134τεμ]

  • 1 pcs$0.61933

Αριθμός εξαρτήματος:
FDMS4D4N08C
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDMS4D4N08C. Το FDMS4D4N08C μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDMS4D4N08C, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS4D4N08C Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FDMS4D4N08C
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Σειρά : PowerTrench®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 123A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4090pF @ 40V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-PQFN (5x6), Power56
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • FDD5680

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.

  • RJK5033DPP-M0#T2

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 500V 6A TO220.