Vishay Siliconix - SI5517DU-T1-GE3

KEY Part #: K6523144

SI5517DU-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [178611τεμ]

  • 1 pcs$0.20812
  • 3,000 pcs$0.20708

Αριθμός εξαρτήματος:
SI5517DU-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI5517DU-T1-GE3. Το SI5517DU-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI5517DU-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5517DU-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI5517DU-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N and P-Channel
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 16nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 8.3W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® ChipFet Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει