Αριθμός εξαρτήματος :
IRFD113PBF
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
800mA (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
4-HVMDIP
Πακέτο / Θήκη :
4-DIP (0.300", 7.62mm)