Αριθμός εξαρτήματος :
MURT10010R
Κατασκευαστής :
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση διόδου :
1 Pair Common Anode
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) :
100A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.3V @ 50A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
75ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
25µA @ 50V
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη :
Three Tower
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Three Tower