IXYS - IXFH12N80P

KEY Part #: K6394555

IXFH12N80P Τιμολόγηση (USD) [22589τεμ]

  • 1 pcs$2.01698
  • 30 pcs$2.00695

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH12N80P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFH12N80P. Το IXFH12N80P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFH12N80P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N80P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFH12N80P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Σειρά : HiPerFET™, PolarHT™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AD (IXFH)
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3