Taiwan Semiconductor Corporation - UF1K R1G

KEY Part #: K6430122

UF1K R1G Τιμολόγηση (USD) [1300896τεμ]

  • 1 pcs$0.02843

Αριθμός εξαρτήματος:
UF1K R1G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation UF1K R1G. Το UF1K R1G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το UF1K R1G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF1K R1G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : UF1K R1G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 800V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.7V @ 1A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 75ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 800V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : DO-204AL, DO-41, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-204AL (DO-41)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SICRD5650TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICRD101200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • V12P12-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 120 Volt

  • AS3PGHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,400V, SMPC STD, Avalanche SM

  • VS-6ESH01-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

  • V12P15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified