Vishay Siliconix - SI2302DDS-T1-GE3

KEY Part #: K6416173

SI2302DDS-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [602896τεμ]

  • 1 pcs$0.06135
  • 3,000 pcs$0.05815

Αριθμός εξαρτήματος:
SI2302DDS-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 20V SOT23.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-GE3. Το SI2302DDS-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI2302DDS-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2302DDS-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI2302DDS-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CHAN 20V SOT23
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tj)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 710mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23-3 (TO-236)
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.