IXYS - IXFK32N100Q3

KEY Part #: K6397643

IXFK32N100Q3 Τιμολόγηση (USD) [4163τεμ]

  • 1 pcs$11.96704
  • 10 pcs$11.06916
  • 100 pcs$9.45359

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFK32N100Q3
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFK32N100Q3. Το IXFK32N100Q3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFK32N100Q3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK32N100Q3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFK32N100Q3
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 9940pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-264AA (IXFK)
Πακέτο / Θήκη : TO-264-3, TO-264AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.