Infineon Technologies - IPA80R1K0CEXKSA1

KEY Part #: K6402521

[2675τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPA80R1K0CEXKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA1. Το IPA80R1K0CEXKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPA80R1K0CEXKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPA80R1K0CEXKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPA80R1K0CEXKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V TO-220-3
    Σειρά : CoolMOS™ CE
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 32W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220 Full Pack
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • TN0604N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • IRLIZ34NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP.