Αριθμός εξαρτήματος :
IPC028N03L3X1SA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Sawn on foil