JAN1N3766R Τιμολόγηση (USD) [1431τεμ]
- 1 pcs$30.39572
- 100 pcs$30.24450
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N3766R
- Κατασκευαστής:
- Microsemi Corporation
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - JFET ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JAN1N3766R. Το JAN1N3766R μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JAN1N3766R, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
JAN1N3766R Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
JAN1N3766R
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Σειρά :
Military, MIL-PRF-19500/297
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard, Reverse Polarity
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
800V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
35A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.4V @ 110A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 800V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-203AB, DO-5, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-5
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
Hot Parts
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A