Αριθμός εξαρτήματος :
RS3J V6G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
-
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
250ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 600V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C