Αριθμός εξαρτήματος :
FF200R12KT3EHOSA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση :
2 Independent
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) :
1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) :
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 200A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) :
5mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 125°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Module