S3MBHM4G Τιμολόγηση (USD) [893060τεμ]
- 1 pcs$0.04142
- Αριθμός εξαρτήματος:
- S3MBHM4G
- Κατασκευαστής:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 3A DO214AA. Rectifiers 3A 1000V Standard Recov Rectifier
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S3MBHM4G. Το S3MBHM4G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S3MBHM4G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
S3MBHM4G Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
S3MBHM4G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 3A DO214AA
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
-
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.15V @ 3A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
1.5µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 1000V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AA, SMB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AA (SMB)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
MBRD5100HL-TP
Micro Commercial Co
5A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 5A SCHOTTKY RECTIFIER
-
-
-
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT. Rectifiers Diode S-FRD 600V, 0.7A
-
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT. Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.1V Vfm REC
-
Hot Parts
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08