Cree/Wolfspeed - C2M0080120D

KEY Part #: K6417039

C2M0080120D Τιμολόγηση (USD) [5343τεμ]

  • 1 pcs$7.71225

Αριθμός εξαρτήματος:
C2M0080120D
Κατασκευαστής:
Cree/Wolfspeed
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Cree/Wolfspeed C2M0080120D. Το C2M0080120D μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το C2M0080120D, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C2M0080120D Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : C2M0080120D
Κατασκευαστής : Cree/Wolfspeed
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Σειρά : C2M™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : SiCFET (Silicon Carbide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 62nC @ 5V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 1000V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 192W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247-3
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.