Infineon Technologies - IPP048N12N3GXKSA1

KEY Part #: K6400501

IPP048N12N3GXKSA1 Τιμολόγηση (USD) [18158τεμ]

  • 1 pcs$2.26960

Αριθμός εξαρτήματος:
IPP048N12N3GXKSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPP048N12N3GXKSA1. Το IPP048N12N3GXKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPP048N12N3GXKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP048N12N3GXKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPP048N12N3GXKSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 120V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 230µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 182nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 60V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-3-1
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • PMN50EPEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN50EPE/SOT457/SC-74.

  • PMN25ENEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN25ENE/SOT457/SC-74.

  • PMN28UNEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN28UNE/SOT457/SC-74.

  • PMN230ENEX

    Nexperia USA Inc.

    PMN230ENE/SOT457/SC-74.

  • IRFU9024PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK.

  • TPCC8103(TE12L,QM)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON.