Infineon Technologies - SPB80N03S2L05T

KEY Part #: K6411033

[13931τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPB80N03S2L05T
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPB80N03S2L05T. Το SPB80N03S2L05T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPB80N03S2L05T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB80N03S2L05T Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPB80N03S2L05T
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 55A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 110µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 89.7nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3320pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 167W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-3-2
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • SSN1N45BBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

    • ZVP4424ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

    • ZVP4424ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

    • ZVP4105ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

    • ZVP4105ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

    • ZVP3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.